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APD0200-17-T1 lnGaAs-Lawinenfotodiode

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Der neue InGaAs-Lawinenfotodioden-Chip von ANDANTA mit 200µm aktivem Chip-Durchmesser ist sowohl im linearen als auch im “gequetschten” Modus für die Photonenzählung betreibbar. Typischerweise wird die InGaAs-APD bei einer Betriebsspannung von 35 bis 50 V mit einem Multiplikationsfaktor von M = 10 betrieben. Die Durchbruchsspannung beträt max. 55V.

Die sehr zuverlässige, planare InGaAs-APD deckt einen Spektralbereich von 0.95 bis 1.65µm bei einer Empfindlichkeit von typ. 9 A/W (M = 10, λ = 1.55µm) ab. Die Rauscheigenschaften (Excess Noise Faktor) sind sehr gut und es treten nur geringe Leckströme auf.

Die Ansprechgeschwindigkeit liegt bei über 1 GHz (3 dB-Bandbreite) typisch.

Die InGaAs-APD wird bevorzugt im Chip- oder Waferformat geliefert. Auf Kundenwunsch können die Einzelchips aber auch in passende TO- oder CLCC-Gehäuse eingebaut werden.

Eine gehäuste Standard-Version im TO46-Gehäuse mit integriertem thermoelektrischen Kühler enthält den gleichen InGaAs-APD-Chip und ist jetzt ebenfalls bei ANDANTA erhältlich.

Hauptanwendungen sind LIDAR (Light Detection and Ranging), Abstands- und Geschwindigkeitsmessung über die Pulslaufzeit, empfindliche Spektralanalyse, Faseroptische Kommunikation und Testung, Optische Kohärenztomographie (OCT), Sicherheitstechnik und weitere mehr.

Für weitere Information besuchen Sie ANDANTA auf der LASER World of PHOTONICS 2019, Halle B3, BWI Gemeinschaftsstand „Made in Germany“ Stand 327/5, oder besuchen Sie die ANDANTA-Webseite unter www.andanta.de .

 -Ende-

LASER World of PHOTONICS
InGaAs-APD Wafer-Skizze
Our press contact

ANDANTA – Pressekontakt: 

Nadia Sotiriou 

Tel: +49 (0)8142 41058-24 

E-Mail: nadia.sotiriou@andanta.de  

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